型号:

FDMJ1032C

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Fairchild Semiconductor描述:MOSFET N/P-CH DUAL 20V SC75
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDMJ1032C PDF
产品变化通告 Product Discontinuation 03/Dec/2009
标准包装 1
系列 PowerTrench®
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.2A,2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 90 毫欧 @ 3.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 270pF @ 10V
功率 - 最大 800mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-75
供应商设备封装 SC-75
包装 标准包装
其它名称 FDMJ1032CDKR
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